湖南民生在线讯（通讯员 高 新）郴州高新区企业湘能华磊光电公司发明专利“具有四元InAlGaN的LED外延结构及其制备方法”获得2016年度湖南省专利奖三等奖。

　　该发明提供了一种提高内部量子效率的LED外延结构生长方法。该方法通过在nGaN和量子阱之间插入应力释放层InAlGaN层，降低量子阱中的压电场，提高内部量子效率，使得单位面积的多量子阱发光层的发光效率更高，且其生产方便，适于工业化应用。该专利技术至少提高LED发光效率4%以上。目前该技术方案已经应用到华磊大功率照明芯片45*45mil的开发上，取得重要成就，45*45mil封装成白光后发光效率达到135lm/W，在国内处于先进水平。